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2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit Multi-Purpose Flash
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
A Microchip Technology Company
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
Data Sheet
Table 11: DC Operating Characteristics –V DD = 3.0-3.6V for SST39LF200A/400A/800A and
2.7-3.6V for SST39VF200A/400A/800A 1
Limits
Symbol Parameter
Power Supply Current
I DD
Min
Max
Units
Test Conditions
Address input=V ILT /V IHT, at f=1/T RC
Min, V DD =V DD Max
Read 2
30
mA
CE#=V IL , OE#=WE#=V IH , all I/Os
open
Program and Erase
30
mA
CE#=WE#=V IL , OE#=V IH
I SB
I LI
I LO
V IL
V IH
V IHC
V OL
V OH
Standby V DD Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input High Voltage (CMOS)
Output Low Voltage
Output High Voltage
0.7V DD
V DD -0.3
V DD -0.2
20
1
10
0.8
0.2
μA
μA
μA
V
V
V
V
CE#=V IHC , V DD =V DD Max
V IN =GND to V DD , V DD =V DD Max
V OUT =GND to V DD , V DD =V DD Max
V DD =V DD Min
V DD =V DD Max
V DD =V DD Max
I OL =100 μA, V DD =V DD Min
I OH =-100 μA, V DD =V DD Min
T11.7 25001
1. Typical conditions for the Active Current shown on page 1 are average values at 25°C (room temperature),
and V DD = 3V for VF devices. Not 100% tested.
2. Values are for 70 ns conditions. See the Multi-Purpose Flash Power Rating application note for further information.
Table 12: Recommended System Power-up Timings
Symbol
T PU-READ1
T PU-WRITE1
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Program/Erase Operation
Minimum
100
100
Units
μs
μs
T12.0 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 13: Capacitance (T A = 25°C, f=1 Mhz, other pins open)
Parameter Description
Test Condition
Maximum
C I/O1
I/O Pin Capacitance
V I/O = 0V
12 pF
C IN
1
Input Capacitance
V IN = 0V
6 pF
T13.0 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Table 14: Reliability Characteristics
Symbol
N END1,2
T DR1
I LTH1
Parameter
Endurance
Data Retention
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
100 + I DD
Units
Cycles
Years
mA
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard 78
T14.2 25001
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
2. N END endurance rating is qualified as a 10,000 cycle minimum for the whole device. A sector- or block-level rating would
result in a higher minimum specification.
? 2011 Silicon Storage Technology, Inc.
15
DS25001A
03/11
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